[发明专利]非易失性半导体存储器有效
| 申请号： | 201410271162.9 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105321563B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;邹宗亮 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
一种容易制造且可靠性高的非易失性半导体存储器。本发明的电阻式存储器具有存储器阵列，所述存储器阵列是将多个包含可逆且非易失地进行转变的可变电阻元件(R1、R2)与连接于该可变电阻元件(R1、R2)的晶体管(T1、T2)的单元单位(CU)形成为矩阵状而成。晶体管(T1、T2)的栅极连接于字线(WL)，晶体管的漏极区域(12、16)通过可变电阻元件(R1、R2)而连接于位线(BL、 |
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| 搜索关键词： | 可变电阻元件 存储器阵列 晶体管 非易失性半导体存储器 电阻式存储器 行方向延伸 单元单位 漏极区域 源极区域 栅极连接 矩阵状 源极线 可逆 位线 字线 薄膜 制造 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于，包括：存储器阵列，所述存储器阵列是将多个包含可逆且非易失地进行转变的存储元件与连接于所述存储元件的晶体管的单元单位形成为矩阵状而成，其中，所述晶体管的栅极连接于字线，所述晶体管的其中一扩散区域通过所述存储元件而连接于位线或源极线，另一扩散区域连接于所述源极线或所述位线，且所述存储元件选择性地形成在沿所述存储器阵列的行方向延伸的薄膜内，所述存储元件自行对准地形成在与所述位线及所述源极线的接点的位置，所述存储元件为可变电阻元件，通过在与所述位线接触的区域进行成型而选择性地形成所述可变电阻元件，通过在重设与所述位线接触的所述可变电阻元件的状态下在与所述源极线接触的区域进行成型而选择性地形成所述可变电阻元件，与所述源极线接触的所述可变电阻元件在成型后重设为低电阻状态。
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