[发明专利]平面VDMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410271095.0 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105206528A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成栅氧层；在栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口；通过体区注入窗口对外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；在体区注入窗口中栅氧层的表面上生成光刻胶层，对栅氧层表面上和多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口；通过源区注入窗口对外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区，从而避免在多晶硅层引入大量可动电荷，从而减少了平面VDMOS器件的多晶硅层中可动电荷的数量，降低了栅漏电容，并且减小对平面VDMOS器件的阈值电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：在外延层的表面上生成栅氧层；在所述栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对所述光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口；通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；在所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口；通过所述源区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区；通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区；在所述多晶硅层的表面上依次生成介质层和金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410271095.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
