[发明专利]平面VDMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

在外延层的表面上生成栅氧层；

在所述栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对所述光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口；

通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；

在所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口；

通过所述源区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区；

通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区；

在所述多晶硅层的表面上依次生成介质层和金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对所述光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，包括：

在所述栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行光刻，对所述多晶硅层进行干法刻蚀，形成所述体区注入窗口。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口，包括：

去掉所述多晶硅层表面上的光刻胶层；

在所述多晶硅层的表面上和所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成所述源区注入窗口。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区之前，所述方法还包括：

去掉所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层的表面上依次生成介质层和金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件，包括：

在所述多晶硅层的表面上生成介质层，对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔；

在所述介质层的表面上生成金属层，对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。