[发明专利]一种反应腔室和反应设备有效
申请号: | 201410269591.2 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN105336640B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 杨玉杰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔室和反应设备,包括用于承载被加工工件的基座和工艺组件,所述工艺组件包括遮蔽件,所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件,所述下遮蔽件的底部为U型槽结构,所述U形槽包围所述上遮蔽件的底部,所述U形槽靠近所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第一气孔。本发明提供的反应腔室和反应设备的技术方案中,第一气孔开设在下遮蔽件的底部临近气源进口,反应气体可以直接进入处理区域。通过上述进气方式,反应气体能够充分均匀的扩散至反应腔室,以至于影响反应气体在反应腔室中的比例成分以及提高反应气体进入反应腔室的扩散效果和均匀性,从而获得更好的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 反应 设备 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔室,包括用于承载被加工工件的基座和工艺组件,其特征在于,所述工艺组件包括遮蔽件,所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件,所述下遮蔽件环绕在所述反应腔室的侧壁内侧,所述上遮蔽件环绕在所述下遮蔽件内侧,所述下遮蔽件的底部为U形 槽结构,所述U形槽包围所述上遮蔽件的底部,所述U形槽靠近所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第一气孔;所述上遮蔽件的底部为倒“Z”型结构,所述下遮蔽件的U形槽远离所述反应腔室侧壁的一侧环绕在所述上遮蔽件的倒“Z”型结构内侧,所述上遮蔽件底部倒“Z”型结构远离所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第二气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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