[发明专利]一种反应腔室和反应设备

说明书

本发明提供一种反应腔室和反应设备，包括用于承载被加工工件的基座和工艺组件，所述工艺组件包括遮蔽件，所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件，所述下遮蔽件的底部为Ｕ型槽结构，所述Ｕ形槽包围所述上遮蔽件的底部，所述Ｕ形槽靠近所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第一气孔。本发明提供的反应腔室和反应设备的技术方案中，第一气孔开设在下遮蔽件的底部临近气源进口，反应气体可以直接进入处理区域。通过上述进气方式，反应气体能够充分均匀的扩散至反应腔室，以至于影响反应气体在反应腔室中的比例成分以及提高反应气体进入反应腔室的扩散效果和均匀性，从而获得更好的薄膜。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种反应腔室和反应设备。

背景技术

在集成电路和显示器的制造中，将诸如半导体晶片盒显示面板的衬底放置在反应腔室中，设定反应腔室中的工艺条件以在该衬底上沉积材料或刻蚀该衬底。典型的反应腔室包括围绕等离子体区域的外围壁、用于支撑衬底的衬底支架、用于在腔室内提供处理气体的气源、对气体施加能量以处理衬底的气体激发器，以及用于保持压力的排气装置。该反应腔室可以包括溅射(PVD)，化学气相沉积(CVD)和刻蚀腔室。

在溅射工艺中，将包括惰性气体和/或反应气体的处理气体供应到反应腔室内，并对靶材施加电偏压，以形成高能粒子轰击靶材促进溅射材料从靶材击出并在衬底成膜。但是，靶材材料也沉积到腔室壁等室内的元件上，并成为污染源。故腔室内需要设置可以防止溅射材料直接沉积到腔室壁以及其他室内元件上的工艺组件。

图1为现有技术中反应腔室的结构示意图。如图1所示，反应腔室100包括腔室壁102、工艺组件200和基座106。工艺组件200与基座106包围形成处理区域101。腔室壁102包括腔室主体103和侧壁104。图2为图1所示反应腔室的A部分结构放大图。如图2所示，工艺组件200包括遮蔽件201、遮蔽环202和沉积环203。图3为现有技术中遮蔽件的结构示意图。如图3所示，遮蔽件201包括上遮蔽件211和下遮蔽件221。下遮蔽件221的中部开有气孔204。反应气体从气源进口105进入反应腔室100，通过下遮蔽件221中部的气孔204后，再下行至上遮蔽件211的底端，由上遮蔽件211的底端缝隙进入处理区域101。通过上述进气方式，反应气体不能充分均匀的扩散至反应腔室100，以至于影响到沉积薄膜在晶片边缘的性质，从而获得均匀性较差的薄膜。

发明内容

本发明提供一种反应腔室和反应设备，用于解决现有技术中的进气方式使得反应气体不能充分均匀的扩散至反应腔室，以至于影响到沉积薄膜在晶片边缘的性质，获得的薄膜均匀性较差的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种反应腔室，包括用于承载被加工工件的基座和工艺组件，所述工艺组件包括遮蔽件，所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件，所述下遮蔽件环绕在所述反应腔室的侧壁内侧，所述上遮蔽件环绕在所述下遮蔽件内侧，所述下遮蔽件的底部为Ｕ型槽结构，所述Ｕ形槽包围所述上遮蔽件的底部，所述Ｕ形槽靠近所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第一气孔。

优选的，所述上遮蔽件的底部为倒“Z”型结构，所述下遮蔽件的Ｕ形槽远离所述反应腔室侧壁的一侧环绕在所述上遮蔽件的倒“Z”型结构内侧。

优选的，所述上遮蔽件底部倒“Z”型结构远离所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第二气孔。

优选的，所述第一气孔与第二气孔在所述反应腔室侧壁方向上的投影不重合。

优选的，所述工艺组件还包括遮蔽环，所述遮蔽环朝向基座的一端位于所述基座上表面的边缘的上方，所述遮蔽环为型。

优选的，所述遮蔽环包括内环和外环，所述内环与外环界定向下的开口端，所述下遮蔽件的Ｕ形槽远离所述反应腔室侧壁的一侧位于所述开口端内。

优选的，所述遮蔽环远离基座的一端位于所述上遮蔽件底部倒“Z”型结构远离所述反应腔室侧壁的一侧的上方。