[发明专利]麦克风MEMS减薄工艺方法有效
申请号: | 201410268499.4 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104282547B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 郁新举 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种麦克风MEMS减薄工艺方法,该方法在进行晶圆减薄工艺前,先将麦克风的通孔细化为多个微孔,并在微孔内填满介质膜,在晶圆减薄完成后,再去除所述介质膜,形成所要求尺寸的通孔。本发明通过将大通孔微量化,并填充介质膜,作为晶圆减薄时的支撑物,减薄后再去除介质膜形成通孔,确保了晶圆减薄过程中有足够的支撑力,从而改善了减薄过程中因支撑力不足而导致的碎片问题。 | ||
搜索关键词: | 麦克风 mems 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1.麦克风MEMS减薄工艺方法,其特征在于,在进行晶圆减薄工艺前,先将麦克风的通孔细化为多个微孔,并在微孔内填满介质膜,在晶圆减薄完成后,再去除所述介质膜,形成所要求尺寸的通孔;其步骤包括:1)改良光刻版,将麦克风通孔的掩膜细化为多个微孔组合的掩膜;2)在晶圆上涂覆一层光刻胶,使用步骤1)的光刻版对图形进行曝光显影;3)干法刻蚀,形成多个微孔,然后去除光刻胶;4)使用氧化的方法在微孔内形成氧化膜;5)在晶圆正面贴附一层正面保护膜,然后将晶圆减薄至目标厚度;6)去除正面保护膜,然后湿法去除微孔内的氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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