[发明专利]麦克风MEMS减薄工艺方法

权利要求书

1.麦克风MEMS减薄工艺方法，其特征在于，在进行晶圆减薄工艺前，先将麦克风的通孔细化为多个微孔，并在微孔内填满介质膜，在晶圆减薄完成后，再去除所述介质膜，形成所要求尺寸的通孔；其步骤包括：

1）改良光刻版，将麦克风通孔的掩膜细化为多个微孔组合的掩膜；

2）在晶圆上涂覆一层光刻胶，使用步骤1）的光刻版对图形进行曝光显影；

3）干法刻蚀，形成多个微孔，然后去除光刻胶；

4）使用氧化的方法在微孔内形成氧化膜；

5）在晶圆正面贴附一层正面保护膜，然后将晶圆减薄至目标厚度；

6）去除正面保护膜，然后湿法去除微孔内的氧化膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），通孔CD为10～200微米，细化的微孔CD为1～10微米，微孔的间距与微孔的CD相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），晶圆的厚度为200～800微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），光刻胶的厚度为1～10微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），刻蚀深度为40～300微米，且刻蚀深度比晶圆最终减薄厚度深5～15微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），氧化膜的厚度大于等于微孔间距的一半。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），所述正面保护物为厚度为100～400微米的蓝膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），使用太古工艺将晶圆减薄至目标厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6），湿法刻蚀至超过30%的过刻量。