[发明专利]一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410267305.9 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104037244A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 唐立丹;王冰;冯嘉恒;王建中 申请(专利权)人: 辽宁工业大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121001 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法,通过原子沉积在硅片表面进行Al2O3沉积以形成厚度为1nm~10nm的Al2O3层;然后继续在Al2O3层上进行n1次的ZnO沉积,然后进行1次Al2O3沉积,完成一次Al2O3掺杂ZnO沉积;按照上述Al2O3掺杂ZnO沉积的方式重复沉积,其中当次ZnO沉积的次数比前一次ZnO沉积多沉积一次,以形成厚度为30nm~100nmAl2O3浓度梯度掺杂ZnO层;沉积结束后,取出硅片,进行退火,得到晶硅太阳能电池钝化薄膜。优点是:薄膜设计合理,制备过程容易操作,对晶硅太阳能电池具有优良的钝化效果,电池光电转化效率高。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 钝化 材料 al sub 浓度梯度 掺杂 zno 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜,其特征是:在硅片上有一层厚度为1 nm~10 nm的Al2O3薄膜层,在Al2O3薄膜层有浓度梯度掺杂ZnO薄膜层,所述Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜层由Al元素、Zn元素、O元素组成,其中Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜层中Al2O3所占比例由下至上依次减小,其电阻率依次降低,Al元素的含量为0.1%~10%,厚度为30nm~100nm,电阻率为10Ω·cm~1 10-5Ω·cm。
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