[发明专利]一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法有效
申请号: | 201410267305.9 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104037244A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 唐立丹;王冰;冯嘉恒;王建中 | 申请(专利权)人: | 辽宁工业大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法,通过原子沉积在硅片表面进行Al2O3沉积以形成厚度为1nm~10nm的Al2O3层;然后继续在Al2O3层上进行n1次的ZnO沉积,然后进行1次Al2O3沉积,完成一次Al2O3掺杂ZnO沉积;按照上述Al2O3掺杂ZnO沉积的方式重复沉积,其中当次ZnO沉积的次数比前一次ZnO沉积多沉积一次,以形成厚度为30nm~100nmAl2O3浓度梯度掺杂ZnO层;沉积结束后,取出硅片,进行退火,得到晶硅太阳能电池钝化薄膜。优点是:薄膜设计合理,制备过程容易操作,对晶硅太阳能电池具有优良的钝化效果,电池光电转化效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 钝化 材料 al sub 浓度梯度 掺杂 zno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶硅太阳能电池钝化材料Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜,其特征是:在硅片上有一层厚度为1 nm~10 nm的Al2O3薄膜层,在Al2O3薄膜层有浓度梯度掺杂ZnO薄膜层,所述Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜层由Al元素、Zn元素、O元素组成,其中Al2O3浓度梯度掺杂ZnO薄膜层中Al2O3所占比例由下至上依次减小,其电阻率依次降低,Al元素的含量为0.1%~10%,厚度为30nm~100nm,电阻率为10Ω·cm~1 10-5Ω·cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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