[发明专利]沟槽型VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410264582.4 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105448980B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了沟槽型VDMOS器件及其制作方法，具体包括：在外延层制作体区和沟槽；在所述沟槽及体区表面生成栅氧化层；在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层；在沟槽内生成不掺杂多晶硅，填充沟槽内的剩余空间；在所述体区制作源区；在形成源区后的器件表面制作介质层，并在所述介质层刻蚀出接触孔；在介质层上表面制作源极金属层，并在衬底层下表面制作漏极金属层。本发明通过改变其栅极的多晶硅结构，在不影响其他参数的情况下降低了栅漏电容。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 体区 制作 沟槽型 制作源 掺杂多晶硅层 栅氧化层表面 掺杂多晶硅 多晶硅结构 漏极金属层 沟槽侧壁 器件表面 剩余空间 栅漏电容 栅氧化层 衬底层 接触孔 金属层 上表面 外延层 下表面 刻蚀 源区 填充 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型VDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：在外延层制作体区和沟槽；在所述沟槽及体区表面生成栅氧化层；在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层不覆盖所述沟槽的底部、且所述沟槽底部的栅氧化层裸露；在沟槽内生成不掺杂多晶硅，填充沟槽内的剩余空间；在所述体区制作源区；在形成源区后的器件表面制作介质层，并在所述介质层刻蚀出接触孔；在介质层上表面制作源极金属层，并在衬底层下表面制作漏极金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410264582.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
