[发明专利]沟槽型VDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型VDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：

在外延层制作体区和沟槽；

在所述沟槽及体区表面生成栅氧化层；

在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层不覆盖所述沟槽的底部、且所述沟槽底部的栅氧化层裸露；

在沟槽内生成不掺杂多晶硅，填充沟槽内的剩余空间；

在所述体区制作源区；

在形成源区后的器件表面制作介质层，并在所述介质层刻蚀出接触孔；

在介质层上表面制作源极金属层，并在衬底层下表面制作漏极金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在外延层制作体区和沟槽，包括：

在外延层上表面注入离子形成体区，并刻蚀出深度超过体区的沟槽。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在外延层上表面注入离子形成体区，并刻蚀出深度超过体区的沟槽，包括：

在所述外延层上表面生成初始氧化层；

在外延层的上部注入离子形成体区；

在所述初始氧化层上表面进行光刻，刻蚀出深度超过体区的沟槽；

除去初始氧化层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅层沿沟槽侧壁的深度不小于体区的深度。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度小于或等于沟槽宽度的1/4。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层，包括：

在沟槽和体区表面的栅氧化层上生长掺杂多晶硅层；

对位于沟槽底部以及体区表面位置的掺杂多晶硅层进行回刻，保留位于沟槽侧壁处的栅氧化层表面的掺杂多晶硅层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述体区制作源区，包括：

覆盖沟槽内的不掺杂多晶硅；

在所述体区上部注入离子形成源区。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成源区后的器件表面制作介质层，包括：

形成源区后得到的器件上表面生成二氧化硅层；

在所述二氧化硅层的上表面生成磷硅玻璃层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介质层刻蚀接触孔，包括：

对所述介质层进行光刻，在位于源区上方的介质层表面生成接触孔的光刻图形；

利用所述接触孔的光刻图形，刻蚀出用于连接源区和源极金属层的接触孔。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极金属层为铝、硅、铜合金层，所述漏极金属层为钛、镍、银复合层。

11.一种沟槽型VDMOS器件，包括：

衬底层；

外延层，设置在所述衬底层上表面；

体区，设置在所述外延层上部；

源区，设置在所述外延层且位于体区上部；

沟槽，设置在所述外延层；

栅极结构，设置在所述沟槽内；

介质层，设置在所述外延层上表面，覆盖所述沟槽内的栅极结构，并且开设有接触孔；

源极金属层，覆盖所述介质层的上表面，并通过接触孔与源区连接；

漏极金属层，设置在衬底层下表面；

其中，所述栅极结构包括：

栅氧化层，覆盖于所述沟槽表面；

掺杂多晶硅层，覆盖于沟槽侧壁处的栅氧化层表面；所述掺杂多晶硅层不覆盖所述沟槽的底部、且所述沟槽底部的栅氧化层裸露；

不掺杂多晶硅，填充沟槽内的剩余空间。

12.如权利要求11所述的器件，其特征在于，所述沟槽的深度超过体区的深度，所述掺杂多晶硅层沿沟槽侧壁的深度至少不小于体区的深度。