[发明专利]鳍结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410261078.9 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996625B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍结构的形成方法，其包括在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层，去除图形化后的所述硬介质掩膜层并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。本发明鳍中下部分结构和上部分可以同质或异质，满足了NMOS和PMOS对沟道的不同要求。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并在图形化后的所述硬介质掩膜层侧面形成掩膜侧壁，对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层和所述掩膜侧壁，去除图形化后的所述硬介质掩膜层但保留所述掩膜侧壁，并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物以及所述掩膜侧壁进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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