[发明专利]鳍结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410261078.9 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996625B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
1.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；
在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层，去除图形化后的所述硬介质掩膜层并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；
对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬介质掩膜层的材料为SiN、SiON、a-C、SiO、BN或TiN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬介质掩膜层的厚度大于10nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅外延处理包括外延生长Si、SiGe或SiC。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，鳍中具有垂直侧面的上部分结构为多层结构。
6.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并在图形化后的所述硬介质掩膜层侧面形成掩膜侧壁，对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；
在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层和所述掩膜侧壁，去除图形化后的所述硬介质掩膜层但保留所述掩膜侧壁，并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；
对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物以及所述掩膜侧壁进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬介质掩膜层和所述掩膜侧壁的材料为SiN、SiON、a-C、SiO、BN或TiN。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬介质掩膜层的厚度大于10nm，所述掩膜侧壁的宽度大于5nm。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，鳍中具有垂直侧面的上部分结构为多层结构。
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