[发明专利]一种氮化铝基薄膜电路制作方法有效
| 申请号: | 201410259304.X | 申请日: | 2014-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN104037115B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 曹乾涛;李红伟;龙江华;宋志明 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70 |
| 代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 肖峰 |
| 地址: | 266555 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | 本发明公开一种具备锡焊功能表面镀层结构和异形状特征的氮化铝基薄膜电路制作方法,包括以下步骤步骤101清洗氮化铝基片。步骤102将氮化铝基片设置形成正面和反面具有金属种子层薄膜。步骤103在正面的金属种子层薄膜上使用光刻刻蚀工艺制备形成含异形状特征的电路图形。步骤104激光加工氮化铝基薄膜电路的内部矩形通孔、或内部矩形通孔与外形异常部分。步骤105稀盐酸处理。步骤106制备锡焊功能表面镀层。步骤107使用砂轮划片机划切氮化铝基薄膜电路的外形常规部分。解决现有技术制作具备锡焊功能表面镀层结构和异形状特征的氮化铝基薄膜电路过程中存在的可靠性低、金属导带镀层恶化的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 氮化 薄膜 电路 制作方法 | ||
【主权项】:
一种氮化铝基薄膜电路制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤101:清洗氮化铝基片;步骤102:将氮化铝基片设置形成正面和反面具有金属种子层薄膜;步骤103:在正面的金属种子层薄膜上使用光刻刻蚀工艺制备形成含异形状特征的电路图形;步骤104:激光加工氮化铝基薄膜电路的内部矩形通孔、或内部矩形通孔与外形异常部分;步骤105:稀盐酸处理,稀盐酸处理的方法为:将氮化铝基片放入稀盐酸中浸泡,当不再有气泡从稀盐酸中溢出时,将氮化铝基片迅速从稀盐酸中取出,然后用大量去离子水冲洗5分钟,再依次用丙酮超声波清洗2分钟进行脱水处理,最后用氮气吹干;步骤106:制备锡焊功能表面镀层,锡焊功能表面镀层制备时,若电路图形中形成导电通路的条件不具备,则电镀方法为:先采用细金丝键合导通,然后电镀锡焊镀层,再去除键合细金丝;步骤107:使用砂轮划片机划切氮化铝基薄膜电路的外形常规部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





