[发明专利]一种氮化铝基薄膜电路制作方法

权利要求书

1.一种氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤101：清洗氮化铝基片；

步骤102：将氮化铝基片设置形成正面和反面具有金属种子层薄膜；

步骤103：在正面的金属种子层薄膜上使用光刻刻蚀工艺制备形成含异形状特征的电路图形；

步骤104：激光加工氮化铝基薄膜电路的内部矩形通孔、或内部矩形通孔与外形异常部分；

步骤105：稀盐酸处理,稀盐酸处理的方法为：将氮化铝基片放入稀盐酸中浸泡，当不再有气泡从稀盐酸中溢出时，将氮化铝基片迅速从稀盐酸中取出，然后用大量去离子水冲洗5分钟，再依次用丙酮超声波清洗2分钟进行脱水处理，最后用氮气吹干；

步骤106：制备锡焊功能表面镀层,锡焊功能表面镀层制备时，若电路图形中形成导电通路的条件不具备，则电镀方法为：先采用细金丝键合导通，然后电镀锡焊镀层，再去除键合细金丝；

步骤107：使用砂轮划片机划切氮化铝基薄膜电路的外形常规部分。

2.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤101中，所述清洗氮化铝基片的方法为依次经过铬酸洗液处理、去离子水清洗、酸洗、二次去离子水清洗、脱水干燥。

3.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤102中，所述氮化铝基片正面和反面形成金属种子层薄膜的方式为溅射镀膜方式或电子束蒸发方式，正面和反面形成金属种子层薄膜采用相同的方式，或不同的方式。

4.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤103中，使用光刻刻蚀工艺形成电路图形的方法为：经过匀胶、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀、去胶步骤后，在氮化铝基片的正面金属薄膜上形成电路图形。

5.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤103中，所述异形状特征为内含一或多个非金属化矩形通孔；外形或为矩形，或为在矩形四个角上缺少一至多个等腰直角三角形后形成的多边形。

6.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤104中，所述外形异常部分为在矩形四个角上至少缺少一个等腰直角三角形后形成的边。

7.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤107中，所述常规外形部分为矩形或为矩形四条边在矩形四个角上至少缺少一个等腰直角三角形后的剩余部分。

8.根据权利要求1所述的氮化铝基薄膜电路制作方法，其特征在于，所述步骤101中，所述氮化铝基片材料为纯度98％的氮化铝，厚度为0.1mm至0.5mm；步骤104中，所述激光为Nd:YAG激光或CO₂激光；步骤106中，锡焊功能表面镀层结构为：Ni/Au或Cu/Ni/Au。