[发明专利]一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法无效
| 申请号： | 201410259112.9 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104129763A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;殷俊;李雪梅 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，以硼烷氨络合物为固态源，先将基底升温，控制固态源加热挥发时提供气态源的分压为0.01～1Pa，在基底表面生长10～480min，形成原子层厚的、具有大晶粒尺寸的六方氮化硼，再以1～100℃∕min的速度降至室温。其中，基底为卷成管状、或折叠成其他任意形状放置。本发明在现有化学气相沉积法的基础上，公开了一种采用极低硼、氮源分压生长六方氮化硼的方法,使用分压越低，晶粒尺寸越大，但是生长时间越长,晶粒尺寸可达到1000μm²。并且，使基底从传统的平放改为卷成管状、或折叠成其他任意形状放置可大幅减少所需的生长时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 单层 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，以硼烷氨络合物为固态源，采用化学气相沉积的方法在基底上生长六方氮化硼，其特征在于：调节固态源加热温度使沉积过程中提供恒定的极低气态源分压，分压范围为0.01～1Pa。
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