[发明专利]一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法无效
| 申请号： | 201410259112.9 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104129763A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;殷俊;李雪梅 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 单层 氮化 制备 方法 | ||
1.一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，以硼烷氨络合物为固态源，采用化学气相沉积的方法在基底上生长六方氮化硼，其特征在于：调节固态源加热温度使沉积过程中提供恒定的极低气态源分压，分压范围为0.01～1Pa。
2.根据权利要求1所述的大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，其特征在于：所述的化学气相沉积法包括以下步骤：以流量为1～200mL∕min的氢气或氢气和惰性气体的混合气体为载流气体，将基底升温，控制固态源加热至50～100℃，使其挥发提供气态源，在基底表面生长10～480min，形成原子层厚的单晶六方氮化硼，再以1～100℃∕min的速度降至室温。
3.根据权利要求1或2所述的大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，其特征在于：所述的基底为卷成管状、或折叠成其他任意形状放置。
4.根据权利要求1或2所述的大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，其特征在于：所述的基底为铜、镍、铝、铁、氧化铝或石英。
5.根据权利要求4所述的大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，其特征在于：当基底为铜时，基底升温温度区间为900～1050℃，当基底为镍、铁和氧化铝、石英时，基底升温温度区间为900～1450℃，当基底为铝时，基底升温温度区间为600～660℃。
6.根据权利要求1或2所述的大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，其特征在于：所述的基底经过化学清洗、化学物理研磨、电化学抛光和退火预处理。
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