[发明专利]一种GaN纳米花的制备方法有效
| 申请号： | 201410257610.X | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104003360A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 任霄钰;周平;苑进社 | 申请（专利权）人： | 重庆师范大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 400047 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GaN纳米花的制备方法，通过控制镓源与氮源的气体流量比，并使用等离子辅助RF-MBE在顶部具有六棱锥结构的GaN柱上同质外延生长出GaN纳米花结构，制备出形貌均匀、大小可控、质量良好的顶部具有六棱锥的GaN纳米柱，并在六棱柱顶部生长出三瓣间夹角互为120°，次层纳米花结构较之首层或旋转120°或旋转60°的GaN纳米花。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN纳米花的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a.在蓝宝石衬底背面镀一层以增加吸热的Ti层，在衬底上生长一层GaN外延层后沉积一层SiO2，再涂上光刻胶，然后将模板放在胶上并施加压强至压印胶充满模板空隙后固化处理；b.通过反应离子束刻蚀：先以压印胶为掩膜使用CF4气等离子体刻蚀SiO2将图形转移到SiO2上，然后再以SiO2作为掩膜使用Cl2和BCl3以及Ar气的等离子体各向同性刻蚀GaN，最终得到蓝宝石衬底上的GaN纳米柱阵列图形化衬底；c.将制备的GaN图形化衬底用射频等离子辅助RF‑MBE技术在纳米压印GaN纳米柱上再生长GaN纳米花,MBE所用Ga源和N源的纯度均为4～8N，气体流量比为1:8～14，生长温度为450～950℃，压强为2.0×10‑7～1.6×10‑4_torr，射频功率为300～600W，生长时间为2～8h，得到六棱锥顶端生长有GaN纳米花结构的GaN纳米柱阵列。
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