[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、OLED背板和显示装置有效
| 申请号： | 201410256092.X | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104037233B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王灿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED背板和显示装置，涉及显示领域，能够有效减少铝膜表面小丘(hillock)的产生，提高有源层性能的稳定性，并且降低产品的功耗。本发明的实施例提供一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其中，所述栅电极形成于基板和所述栅绝缘层之间，所述栅电极和所述基板之间设置有第一过渡层，所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板的形成材料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材料的热膨胀系数之间；且，所述栅绝缘层形成材料的成膜温度低于第一极限温度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 oled 背板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其中，所述栅电极形成于基板和所述栅绝缘层之间，其特征在于，所述栅电极和所述基板之间设置有非图形化的第一过渡层，所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板的形成材料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材料的热膨胀系数之间；且，所述栅绝缘层形成材料的成膜温度低于第一极限温度；所述第一极限温度指栅电极的形成膜层在其内部承受压缩应力的极限值对应的温度；所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料；所述栅绝缘层的形成材料为氧化铝。
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