[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、OLED背板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其中，所述栅电极形成于基板和所述栅绝缘层之间，其特征在于，

所述栅电极和所述基板之间设置有非图形化的第一过渡层，所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板的形成材料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材料的热膨胀系数之间；且，

所述栅绝缘层形成材料的成膜温度低于第一极限温度；

所述第一极限温度指栅电极的形成膜层在其内部承受压缩应力的极限值对应的温度；

所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料；

所述栅绝缘层的形成材料为氧化铝。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅电极的形成材料为铝，所述第一极限温度为150℃。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述基板为玻璃基板，所述第一过渡层的形成材料为氧化铝。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一过渡层的厚度为50～200nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层和所述栅绝缘层之间还设置有第二过渡层，所述第二过渡层的材料为所述有源层形成材料的高氧化物。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述高氧化物中含氧量的质量百分比为50％～80％。

7.一种OLED背板，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，或者，权利要求7所述的OLED背板。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成非图形化的第一过渡层，所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板的形成材料的热膨胀系数和栅电极的形成材料的热膨胀系数之间，所述栅电极设置在所述第一过渡层上；

形成包括所述栅电极在内的栅金属层图形；

在低于第一极限温度的条件下，形成栅绝缘层；

所述第一极限温度指栅电极的形成膜层在其内部承受压缩应力的极限值对应的温度；

继续后续工序形成有源层、源电极和漏电极；

形成所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料；

形成所述栅绝缘层的形成材料为氧化铝。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述形成包括所述栅电极在内的栅金属层图形，具体为：在所述第一过渡层上形成铝薄膜，并通过构图工艺形成包括栅电极在内的栅金属层图形；

所述第一极限温度为150℃。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，

所述基板为玻璃基板，所述第一过渡层的形成材料为氧化铝。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成第一过渡层，具体为：采用溅射方法在基板上形成氧化铝薄膜；

所述在所述第一过渡层上形成铝薄膜，具体为：采用溅射方法在所述氧化铝薄膜上形成铝薄膜。

13.根据权利要求9或10所述的制造方法，其特征在于，所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料；在形成有源层之前，所述制造方法还包括：

在所述栅绝缘层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的材料为所述有源层形成材料的高氧化物。