[发明专利]新型阵列LED高压芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410255896.8 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104009135A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 施荣华;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型阵列LED高压芯片，包括衬底、N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层，所述的衬底上的N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层被隔离为阵列排布的多个方形单元，每个方形单元包括至少一个圆形发光元件以及围绕圆形发光元件的多个三角形发光元件，所述的圆形发光元件与三角形发光元件以串联和/或并联的形式连接。一体化的设计方案使得在相同发光面积内制备了更多的发光单元，并且整体布局合理，更适合于高压芯片的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 阵列 led 高压 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型阵列LED高压芯片，包括衬底、N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层，其特征在于：所述的衬底上的N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层被隔离为阵列排布的多个方形单元，每个方形单元包括至少一个圆形发光元件以及围绕圆形发光元件的多个三角形发光元件，所述的圆形发光元件与三角形发光元件以串联和/或并联的形式连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海迪科（南通）光电科技有限公司，未经海迪科（南通）光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410255896.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
