[发明专利]新型阵列LED高压芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种新型阵列LED高压芯片，包括衬底、N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层，其特征在于：所述的衬底上的N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层被隔离为阵列排布的多个方形单元，每个方形单元包括至少一个圆形发光元件以及围绕圆形发光元件的多个三角形发光元件，所述的圆形发光元件与三角形发光元件以串联和/或并联的形式连接。

2.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的三角形发光元件包括至少一条圆弧化处理的边和/或至少一个圆弧化处理的角。

3.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的方形单元由位于中心位置的圆形发光元件以及分位于四个角落位置的三角形发光元件构成。

4.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的圆形发光元件和三角形发光元件在各自对应的N型GaN限制层上形成N电极，或者在圆形发光元件和三角形发光元件之间隔离带上形成N电极，并通过透明电极将形成的N电极与N型GaN限制层相连。

5.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的圆形发光元件和三角形发光元件在各自对应的P型GaN限制层上形成P电极，或者在隔离带上形成P电极，并通过透明电极将形成的P电极与P型GaN限制层相连。

6.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的三角形发光元件彼此串联后与所述的圆形发光元件并联连接。

7.根据权利要求6所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的圆形发光元件和三角形发光元件之间设置有呈环形的共用的N电极。

8.根据权利要求1所述的新型阵列LED高压芯片，其特征在于：所述的衬底包括蓝宝石衬底、单晶硅衬底或碳化硅衬底。

9.一种新型阵列LED高压芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（a）提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层；

（b）通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层隔离出阵列排布的多个方形单元，每个方形单元包括一圆形发光元件以及围绕该圆形发光元件的多个三角形发光元件，所述的圆形发光元件与三角形发光元件以串联和/或并联的形式连接；

（c）将圆形单元和三角形单元由金属线连结形成串联和/或并联。

10. 根据权利要求9所述的新型阵列LED高压芯片的制备方法，其特征在于：所述的步骤（b）中的隔离方式采用深沟槽刻蚀到衬底的方式或者用离子注入的方式。