[发明专利]一种新型ZnO基热电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410254970.4 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104018118A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 罗景庭;范平;张东平;郑壮豪;梁广兴 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
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| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ZnO基热电薄膜及其制备方法。所述新型ZnO基热电薄膜为Al和Ti共掺杂的ZnO热电薄膜，其化学式表示为Zn1-x-yAlxTiyO(0.005≤x≤0.04，0.005≤y≤0.04)。本发明通过在Al掺杂ZnO热电薄膜的基础上引入Ti作为第二种掺杂元素。Al和Ti共掺杂后ZnO热电薄膜的电导率显著提高，另外由于Ti的引入ZnO热电薄膜的有效态密度提高，因而其高温塞贝克系数也同时得到提高。本发明解决了热电薄膜的电导率和塞贝克系数不能同时提高的问题，新型的Zn1-x-yAlxTiyO热电薄膜同时具有较大的高温电导率和塞贝克系数，因而具有较好的功率因子。本发明制备的新型Zn1-x-yAlxTiyO热电薄膜具有优异的热电性能，在高温热电领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 zno 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型ZnO基热电薄膜，包括基片和位于基片上的新型ZnO基热电薄膜，所述新型ZnO基热电薄膜为Al和Ti共掺杂的ZnO热电薄膜，其化学式表示为Zn1‑x‑yAlxTiyO(0.005≤x≤0.04，0.005≤y≤0.04)。
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