[发明专利]一种新型ZnO基热电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410254970.4 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104018118A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 罗景庭;范平;张东平;郑壮豪;梁广兴 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 zno 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型ZnO基热电薄膜，包括基片和位于基片上的新型ZnO基热电薄膜，所述新型ZnO基热电薄膜为Al和Ti共掺杂的ZnO热电薄膜，其化学式表示为Zn1-x-yAlxTiyO(0.005≤x≤0.04，0.005≤y≤0.04)。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述基片为玻璃、石英、Si和Al2O3中的一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述新型ZnO基热电薄膜为Al和Ti共掺杂的ZnO热电薄膜，其化学式表示为Zn1-x-yAlxTiyO(0.005≤x≤0.04，0.005≤y≤0.04)。
4.新型ZnO基热电薄膜的制备方法，其特征在于，在金属Zn靶材上均匀放置一定量的金属Al小块和Ti小块，通入合适的Ar气和O2，采用反应磁控溅射法沉积得到所述新型Zn1-x-yAlxTiyO热电薄膜。
5.新型ZnO基热电薄膜的制备方法，其特征在于，首先沉积一层金属Ti纳米薄层，再沉积一层Al掺杂ZnO薄膜，最后通过退火热处理方法得到所述新型Zn1-x-yAlxTiyO热电薄膜。
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