[发明专利]外延腔体温度监控方法

摘要

本发明揭示了一种通过优化外延腔体温度分布改善外延层错的方法，包括步骤一提供至少一衬底，所述衬底中具有掺杂元素；步骤二将所述衬底放入一外延腔体中，在所述衬底表面生长一外延层，通过高温生长外延时激活衬底杂质，在所述生长过程中，所述衬底不转动；步骤三检测所述外延层的表面方块电阻值的分布情况；步骤四根据所述表面方块电阻值的分布情况判断所述外延腔体的温度分布情况。根据所述外延腔体的温度分布情况，可以得到所述外延腔体内各区域的温度，从而可以针对所述外延腔体内各区域分别进行调节温度，使得所述外延腔体内各区域的温度保持一致，从而提高在所述外延腔体内生长的外延层的质量，改善滑移线等缺陷。

主权项

一种外延腔体温度监控方法，包括：步骤一：提供两个衬底，所述两个衬底中具有相同的掺杂元素；步骤二：将其中一所述衬底以第一位置放入所述外延腔体生长第一外延层，将另一所述衬底以第二位置放入所述外延腔体生长第二外延层，在所述生长过程中，所述衬底不转动；步骤三：检测所述第一外延层的多个部分的表面方块电阻值的分布情况，并检测所述第二外延层的多个部分的表面方块电阻值的分布情况，所述第一外延层和所述第二外延层包括相同数量且相对应的所述多个部分；步骤四：根据两个所述衬底的外延层的所述多个部分的表面方块电阻值的分布情况判断所述外延腔体的温度分布情况；所述外延腔体包括多个与所述多个部分的位置一一对应的区域，在所述步骤四中：如果一部分的表面方块电阻值高于其它所述部分的表面方块电阻值，则所述一部分所对应的所述区域的温度低于其它所述区域的温度；如果一部分的表面方块电阻值低于其它所述部分的表面方块电阻值，则所述一部分所对应的所述区域的温度高于其它所述区域的温度。