[发明专利]外延腔体温度监控方法有效
| 申请号： | 201410253924.2 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104022054B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 曹荣;史超 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 体温 监控 方法 | ||
1.一种外延腔体温度监控方法，包括：
步骤一：提供两个衬底，所述两个衬底中具有相同的掺杂元素；
步骤二：将其中一所述衬底以第一位置放入所述外延腔体生长第一外延层，将另一所述衬底以第二位置放入所述外延腔体生长第二外延层，在所述生长过程中，所述衬底不转动；
步骤三：检测所述第一外延层的多个部分的表面方块电阻值的分布情况，并检测所述第二外延层的多个部分的表面方块电阻值的分布情况，所述第一外延层和所述第二外延层包括相同数量且相对应的所述多个部分；
步骤四：根据两个所述衬底的外延层的所述多个部分的表面方块电阻值的分布情况判断所述外延腔体的温度分布情况；
所述外延腔体包括多个与所述多个部分的位置一一对应的区域，在所述步骤四中：
如果一部分的表面方块电阻值高于其它所述部分的表面方块电阻值，则所述一部分所对应的所述区域的温度低于其它所述区域的温度；
如果一部分的表面方块电阻值低于其它所述部分的表面方块电阻值，则所述一部分所对应的所述区域的温度高于其它所述区域的温度。
2.如权利要求1所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，采用离子注入的方法将所述掺杂元素注入所述两个衬底。
3.如权利要求2所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，所述掺杂元素为磷元素。
4.如权利要求3所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，所述离子注入的能量为50keV～100keV，剂量为5×1012cm-2～8×1014cm-2。
5.如权利要求1所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，所述第一外延层和所述第二外延层的材料为单晶硅。
6.如权利要求1所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，所述两个衬底为硅衬底。
7.如权利要求1所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，在所述步骤三中，采用四探针的方法测量49点的表面方块电阻值，检测所述第一外延层和所述第二外延层的表面方块电阻值的分布情况。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的外延腔体温度监控方法，其特征在于，在所述步骤四中：将所述第一外延层的表面方块电阻值和所述第二外延层的表面方块电阻值对应叠加，并求平均值，得到平均表面方块电阻值分布，根据所述平均表面方块电阻值分布，得到所述外延腔体的温度分布情况。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
