[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201410249647.8 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103996769B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 农明涛;杨云峰;朱耀强;项博媛 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的多量子阱区和P型AlGaN层，还包括过渡层，过渡层设置于多量子阱区和P型AlGaN层之间，过渡层为AlInGaN层或AlGaN/InGaN超晶格结构。本发明提供的LED外延层结构中在P型‑AlGaN与多量子阱层之间增设AlInGaN或AlGaN/InGaN超晶格结构，能减少量子阱层与P‑AlGaN层的晶格失配，降低在P‑AlGaN层形成的位错和缺陷，有效阻止其他层中的Al或Mg向多量子阱区域扩散，从而提高LED芯片的发光效率4％。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 生长 方法 具有 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延层结构，包括多量子阱区和设置于所述多量子阱区顶面上的P型AlGaN层，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层设置于所述多量子阱区和所述P型AlGaN层之间，所述过渡层为AlInGaN层；所述AlInGaN层为AlyInxGa(1‑x‑y)N，其中，x＝0.05～0.15，y＝0.05～0.15，所述AlInGaN层厚度为6～18nm。
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