[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

权利要求书

1.一种LED外延层结构，包括多量子阱区和设置于所述多量子阱区顶面上的P型AlGaN层，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层设置于所述多量子阱区和所述P型AlGaN层之间，所述过渡层为AlInGaN层；所述AlInGaN层为Al_yIn_xGa_(1-x-y)N，其中，x＝0.05～0.15，y＝0.05～0.15，所述AlInGaN层厚度为6～18nm。

2.根据权利要求1所述的LED外延层结构，其特征在于，所述P型AlGaN层的厚度为20～30nm。

3.根据权利要求1所述的LED外延层结构，其特征在于，所述多量子阱区包括依次叠置的第一多量子阱层和第二多量子阱层，

所述第一多量子阱层包括多个依次叠置的第一单元，所述第一单元包括依次叠置的第一GaN层和第一In_xGa_(1-x)N层，所述第一In_xGa_(1-x)N层中的x＝0.05～0.08，

所述第一GaN层的厚度为30～50nm，所述第一In_xGa_(1-x)N层的厚度为1～3nm，

所述第一单元个数为3～4。

4.根据权利要求3所述的LED外延层结构，其特征在于，所述第二多量子阱层包括多个依次叠置的第二单元，所述第二单元包括依次叠置的第二In_xGa_(1-x)N层和第二GaN层，

所述第二In_xGa_(1-x)N层厚度为1～4nm，所述第二In_xGa_(1-x)N层中的x＝0.20～0.21，所述第二GaN层厚度为10～14nm，

所述第二单元个数为12～14个。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的LED外延层结构的生长方法，包括生产多量子阱区和设置于所述多量子阱区顶面上的P型AlGaN层的步骤，其特征在于，还包括在所述多量子阱区和所述P型AlGaN层之间生长过渡层的步骤，其中，生长所述过渡层的步骤中，生长温度为800～840℃，生长压力为200～600mbar。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，生长所述P型AlGaN层的生长温度为930～950℃；生长所述多量子阱区的步骤中包括生长依次叠置的第一多量子阱层和第二多量子阱层，生长所述第一多量子阱层的生长温度为700～900℃；

生长所述第二多量子阱层的步骤中包括生长多个依次叠置的第二单元的步骤，生长所述第二单元的步骤包括生长依次叠置的第二In_xGa_(1-x)N层和第二GaN层的步骤，生长所述第二In_xGa_(1-x)N层的步骤中，生长温度为700～800℃；生长所述第二GaN层的步骤中，生长温度为800～900℃。

7.一种LED芯片，包括LED外延层，其特征在于，所述LED外延层具有如权利要求1～4中任一项所述LED外延层结构。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片在350mA驱动电流下亮度为228～230mW。

9.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片在20mA驱动电流下亮度为17.4～17.6mW。