[发明专利]一种基于HSD结构的TFT‑LCD显示面板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410247733.5 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104062822B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 杜鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 吴大建,刘华联
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于HSD结构的TFT‑LCD显示面板的方法,设置包括亚像素单元阵列;若干对栅线,其中,每对栅线设在相邻的两行亚像素单元之间,每条栅线由重复排列的具有不同宽度的分段相接合而构成,其中,在宽度相对大的分段部分上设置有与亚像素单元的像素电极相连的TFT元件;多条数据线,其与所述栅线垂直,且相邻的两条数据线间隔有两列或两列以上的亚像素单元。本发明将TFT元件的设置位置由像素区移至栅线上,增大了像素区的开口率,从而提高穿透率。
搜索关键词: 一种 基于 hsd 结构 tft lcd 显示 面板 制作方法
【主权项】:
一种基于HSD结构的TFT‑LCD显示面板的制作方法,包括:提供基板,在所述基板上图案化形成栅线层,图案化形成的栅线层上包括水平向排列的若干对栅线,每条栅线由各个分段重复排列构成,其中所述分段具有不同宽度的分段部分,不同的栅线对之间相隔一定距离,栅线对内的两条栅线以电隔离方式紧密设置;在所述栅线中宽度相对大的分段部分上沉积半导体材料,以形成半导体层;形成多条数据线以及在所述半导体层上形成TFT元件的源漏电极,其中,所形成的数据线之间间隔开,并与所述若干对栅线垂直交叉,所述源漏电极形成于所述半导体材料上;在数据线层上形成钝化层;在相邻的任一栅线对与相邻的任何两条数据线所包围的空间里制作两个或两个以上的亚像素电极。
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