[发明专利]一种基于HSD结构的TFT‑LCD显示面板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410247733.5 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104062822B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 杜鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 吴大建,刘华联
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 hsd 结构 tft lcd 显示 面板 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶面板设计技术领域,具体地说,涉及一种HSD(Half Source Driving,半源极驱动)结构的TFT-LCD显示面板及制作方法。

背景技术

为降低液晶面板生产的制作成本,一种HSD结构的液晶面板应运而生。该种面板将栅线的数量加倍,而数据线的数量减半,从而减少驱动数据线的芯片的数量,达到降低成本的目的。

为了避免栅线电阻电容延迟效应造成的像素充电不足,在进行液晶面板设计时,往往栅线的宽度设置的很大。HSD结构的液晶面板的栅线数量加倍,同时栅线的宽度增大,会使得液晶面板的像素区面积减小,像素的开口率降低,进而对像素的穿透率产生不利的影响。

基于上述情况,亟需一种采用HSD结构的并能提高像素穿透率的液晶面板设计。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供了一种HSD结构的同时能提高像素穿透率的液晶面板设计。

根据本发明的一个方面,其提供了基于HSD结构的TFT-LCD显示面板,其包括:

亚像素单元阵列;

若干对栅线,其中,每对栅线设在相邻的两行亚像素单元之间,每条栅线包括重复排列的分段,所述分段具有不同宽度的分段部分,其中,在宽度相对大的分段部分上设置有与亚像素单元的像素电极相连的TFT元件;

多条数据线,其与所述栅线垂直,且相邻的两条数据线间隔有两列或两列以上的亚像素单元。

根据本发明的一个实施例,所述分段包括第一分段部分和第二分段部分,其中,所述第一分段部分的宽度大于第二分段部分的宽度。

根据本发明的一个实施例,每对栅线排列成其中一条栅线的第一分段部分与另一条栅线的第二分段部分相对,而第二分段部分与另一条栅线的第一分段部分相对,使得所述每对栅线整体上沿像素单元的行方向所占据的宽度一致。

根据本发明的一个实施例,所述第一分段部分与所述第二分段部分接合成使得所述分段在接合位置处的一侧上是平齐的。

根据本发明的一个实施例,所述第一分段部分与所述第二分段部分接合成使得所述分段在接合位置处的两侧上是不平齐的,使得由两对栅线所包围的亚像素单元沿水平方向交错排列。

根据本发明的一个实施例,所述数据线与栅线上设置的各个TFT元件的源极所在的区具有间隔,并且所述数据线分别通过从中延伸的各条引线与各个TFT元件的源极连接。

根据本发明的一个实施例,所述数据线设置成经过所述栅线上设有TFT元件的分段部分并作为所述TFT的源极。

根据本发明的另一个方面,还提供了一种基于HSD结构的TFT-LCD显示面板的制作方法,包括:

提供基板,

在所述基板上图案化形成栅线层,图案化形成的栅线层上包括水平向排列的若干对栅线,每条栅线由各个分段重复排列构成,其中所述分段具有不同宽度的分段部分,不同的栅线对之间相隔一定距离,栅线对内的两条栅线以电隔离方式紧密设置;

在所述栅线中宽度相对大的分段部分上沉积半导体材料,以形成半导体层;

形成多条数据线以及在所述半导体层上形成TFT元件的源漏电极,其中,所形成的数据线之间间隔开,并与所述若干对栅线垂直交叉,所述源漏电极形成于所述半导体材料上;

在数据线层上形成钝化层;

在相邻的任一栅线对与相邻的任何两条数据线所包围的空间里制作两个或两个以上的亚像素电极。

根据本发明的一个实施例,形成的栅线的分段包括第一分段部分和第二分段部分,其中,所述第一分段部分的宽度大于第二分段部分的宽度,每对栅线排列成其中一条栅线的第一分段部分与另一条栅线的第二分段部分相对,而第二分段部分与另一条栅线的第一分段部分相对,使得所述每对栅线整体上沿像素单元的行方向所占据的宽度一致。

根据本发明的一个实施例,图案化形成所述栅线时,将所述第一分段部分与所述第二分段部分形成为使得所述分段在连接处的一侧上是平齐的。

根据本发明的一个实施例,形成数据线时,使所述数据线经过之前栅线上形成的半导体材料层,并将经过栅线的这部分数据线作为TFT元件的源极。

本发明带来了以下有益效果:

本发明中栅线由重复排列的具有不同宽度的分段相接合而构成,在宽度相对大的分段部分上设置与亚像素单元的像素电极相连的TFT元件,宽度相对较小的分段部分宽度可以设置的尽可能小,这样的设计可以减小两条栅线的总宽度,同时将TFT元件的设置位置由像素区移至栅线上,增大了像素区的开口率,从而提高像素的穿透率。

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