[发明专利]显示装置及电子设备有效
申请号: | 201410246494.1 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104238205B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 久保田大介;洼田勇介 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1339 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种取向不良被降低的显示装置。此外,本发明提供一种包括开口率高且能够增大电荷容量的电容元件的显示装置。此外,本发明提供一种包括开口率高且电荷容量大的电容元件且取向不良被降低的显示装置。本发明是一种在区划为扫描线、数据线以及电容线的区域中具有像素的显示装置,该像素包括:夹在对置电极与像素电极之间的液晶层;形成在液晶层中的间隔物;以及连接到像素电极的晶体管,该像素电极具有凹部,由间隔物及凹部控制液晶层的取向方向。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种包括配置为矩阵状的多个像素的显示装置,各像素包括:具有透光性的导电层;所述导电层上的像素电极,该像素电极具有凹部;与所述像素电极对置的对置电极;在所述像素电极与所述对置电极之间的液晶层;在所述液晶层中且在所述像素电极与所述对置电极之间的间隔物;电连接到所述像素电极的晶体管,所述晶体管包括氧化物半导体层中的沟道形成区;所述氧化物半导体层上的第一绝缘层;以及所述第一绝缘层上的第二绝缘层,其中,所述第一绝缘层包括与所述导电层重叠的区域中的开口,所述第一绝缘层覆盖所述导电层的边缘,所述第二绝缘层在所述开口中与所述第一绝缘层的侧面和所述导电层接触,所述凹部沿着所述开口被设置,并且,所述液晶层中的取向由所述凹部及所述间隔物控制。
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