[发明专利]显示装置及电子设备有效
申请号: | 201410246494.1 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104238205B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 久保田大介;洼田勇介 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1339 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
本发明提供一种取向不良被降低的显示装置。此外,本发明提供一种包括开口率高且能够增大电荷容量的电容元件的显示装置。此外,本发明提供一种包括开口率高且电荷容量大的电容元件且取向不良被降低的显示装置。本发明是一种在区划为扫描线、数据线以及电容线的区域中具有像素的显示装置,该像素包括:夹在对置电极与像素电极之间的液晶层;形成在液晶层中的间隔物;以及连接到像素电极的晶体管,该像素电极具有凹部,由间隔物及凹部控制液晶层的取向方向。
技术领域
本说明书等所公开的发明涉及一种显示装置及包括该显示装置的电子设备。
背景技术
近年来,随着以智能手机为首的便携式信息终端的迅速普及,终端本身的高性能化也迅速进展。屏幕的大型化及高清晰化日趋增加,随着屏幕的清晰度的提高,显示装置的功耗受到重视。作为显示装置,例如典型为使用液晶元件的液晶显示装置。在液晶显示装置中,在行方向及列方向配置的像素内设置有:作为开关元件的晶体管;与该晶体管电连接的液晶元件;以及与该液晶元件并联连接的电容元件等。
作为构成上述晶体管的半导体膜的半导体材料,通常使用非晶硅或多晶硅等硅半导体。
另外,呈现半导体特性的金属氧化物(以下也称为氧化物半导体)也是能够用于晶体管的半导体膜的半导体材料。例如,已公开有一种使用氧化锌或In-Ga-Zn类氧化物半导体制造晶体管的技术(参照专利文献1及专利文献2)。
[专利文献1] 日本专利申请公开2007-123861号公报
[专利文献2] 日本专利申请公开2007-96055号公报。
在显示装置中,若像素外围的台阶部等的凹凸较大,容易发生液晶层的取向不良。该取向不良例如容易沿着与晶体管连接的扫描线及数据线以及像素电极附近的台阶部的边缘发生。因此,需要由遮光膜(即黑矩阵,也被称为BM)覆盖能够用作显示区的像素的开口的一部分。因此,像素的开口率被降低,而使图像的显示品质降低。
为了减少上述取向不良,通常使用有机树脂等对起因于晶体管等的台阶部等的凹凸进行平坦化处理。
然而,当作为构成晶体管的半导体材料使用氧化物半导体时,由于若有机树脂所包含的杂质(典型为水分等)混入到该氧化物半导体中会给半导体特性带来不良影响,因此存在着采用尽可能地不使用有机树脂的结构制造显示装置的课题。
另外,当使显示装置高清晰化时,一个像素尺寸变小,而将多个像素配置于显示装置。在高清晰度的显示装置中,例如,当作为液晶元件的取向控制进行通过摩擦处理的取向控制时,一个像素尺寸较小,由于需要对多个像素全部进行取向控制,因此存在着发生取向不良的概率变高而使显示装置的成品率下降的课题。
另外,当在显示装置中设置有电容元件时,在该电容元件中,一对电极之间设置有介电膜,一对电极中的至少一个往往是由构成晶体管的栅电极、源电极或漏电极等的导电膜形成的。在施加电场的情况下,电容元件的电容值越大,能够将液晶元件的液晶分子的取向保持为固定的期间越长。在显示静态图像的显示装置中,能够延长该期间意味着能够降低改写图像数据的次数,由此可以期待减少功耗。
为了增大电容元件的电荷容量,可以增大电容元件的占有面积,具体地可以增大一对电极彼此重叠的面积。但是,在上述显示装置中,当为了增大一对电极彼此重叠的面积而增大导电膜的面积时,像素的开口率降低,而使图像显示质量下降。此外,当使显示装置高清晰化时,因为一个像素尺寸变小,所以难以增大电容元件的面积。
发明内容
鉴于上述课题,本发明的一个方式的目的之一是提供一种取向不良被降低的显示装置。此外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括开口率高且能够增大电荷容量的电容元件的显示装置。此外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括开口率高且电荷容量大的电容元件且取向不良被降低的显示装置。
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