[发明专利]具有无角轮廓的接触件硅化物在审
申请号: | 201410242305.3 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN104916687A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 陈圣文;施侑伸;罗加聘;林彦华;谭伦光;林钰庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件,该半导体器件包括具有源极/漏极区的晶体管。导电接触件设置在源极/漏极区上方。硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中,硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓,例如,类椭圆形的轮廓。通过注入工艺在源极/漏极区中形成非晶硅区来至少部分地形成硅化物元件。注入工艺可以是冷注入工艺。本发明还提供了具有无角轮廓的接触件硅化物。 | ||
搜索关键词: | 具有 无角 轮廓 接触 件硅化物 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:晶体管,具有源极/漏极区;导电接触件,设置在所述源极/漏极区上方:以及硅化物元件,设置在所述导电接触件下方,其中,所述硅化物元件具有无角的截面轮廓。
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