[发明专利]具有无角轮廓的接触件硅化物在审
| 申请号： | 201410242305.3 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104916687A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈圣文;施侑伸;罗加聘;林彦华;谭伦光;林钰庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 无角 轮廓 接触 件硅化物 | ||
1.一种半导体器件，包括：
晶体管，具有源极/漏极区；
导电接触件，设置在所述源极/漏极区上方：以及
硅化物元件，设置在所述导电接触件下方，其中，所述硅化物元件具有无角的截面轮廓。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅化物元件具有近似圆形的截面轮廓。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述硅化物元件的一部分具有近似椭圆形的截面轮廓。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅化物元件是硅化镍。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，以所述硅化物元件形成所述导电接触件和所述源极/漏极区之间的界面的方式设置所述硅化物元件。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管是高k金属栅极晶体管。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是20nm技术节点器件。
8.一种半导体器件，包括：
硅衬底；
栅极结构，设置在所述硅衬底上方；
源极/漏极，形成在所述硅衬底中并且与所述栅极结构邻近；以及
接触件，设置在所述源极/漏极上方，所述接触件包含金属材料，其中，金属硅化物形成所述接触件和所述源极/漏极之间的界面，并且所述金属硅化物的截面具有无角的形状。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物的截面具有近似圆形的形状。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有形成在其中的源极/漏极区和形成在其上方的介电层；
在所述介电层中形成开口，其中，所述开口露出所述源极/漏极区；
通过所述开口实施注入工艺以在所述源极/漏极区中形成非晶硅部分；
在所述开口中沉积金属，所述金属沉积在所述非晶硅部分上；以及
对所述金属实施退火以促进所述金属和所述非晶硅部分之间发生反应，从而在所述源极/漏极区中形成金属硅化物。
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