[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410235132.2 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN105225950B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 赵杰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 应战,骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法,所述鳍式场效应晶体管的形成方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部;形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅;形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层,所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面;进行第一离子注入,向所述介质层中注入固化离子,以增加介质层的密度;平坦化所述介质层,暴露出伪栅的表面;去除所述伪栅,形成凹槽;在凹槽中形成金属栅极。本发明的方法防止在介质层中产生凹陷缺陷。
搜索关键词: 场效应 晶体管 形成 方法 mos
【主权项】:
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部;形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅,所述伪栅的侧壁还形成有侧墙,所述侧壁和伪栅的表面形成有研磨停止层;形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层,所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面;进行第一离子注入,向所述介质层中注入固化离子,以增加介质层的密度;平坦化所述介质层,暴露出伪栅的表面,平坦化所述介质层的步骤包括:进行第一平坦化步骤,采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层,以所述研磨停止层作为停止层,暴露出研磨停止层表面;进行第一平坦化步骤后,进行第二离子注入,在第一平坦化后的介质层中注入固化离子;进行第二平坦化步骤,采用化学机械研磨工艺平坦化第一平坦化后的介质层,以所述伪栅的顶部表面为停止层,暴露出伪栅的表面;去除所述伪栅,形成凹槽;在凹槽中形成金属栅极。
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