[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法有效
申请号: | 201410235132.2 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN105225950B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 赵杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 应战,骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法,所述鳍式场效应晶体管的形成方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部;形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅;形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层,所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面;进行第一离子注入,向所述介质层中注入固化离子,以增加介质层的密度;平坦化所述介质层,暴露出伪栅的表面;去除所述伪栅,形成凹槽;在凹槽中形成金属栅极。本发明的方法防止在介质层中产生凹陷缺陷。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 形成 方法 mos | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部;形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅,所述伪栅的侧壁还形成有侧墙,所述侧壁和伪栅的表面形成有研磨停止层;形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的介质层,所述介质层的表面高于伪栅的顶部表面;进行第一离子注入,向所述介质层中注入固化离子,以增加介质层的密度;平坦化所述介质层,暴露出伪栅的表面,平坦化所述介质层的步骤包括:进行第一平坦化步骤,采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层,以所述研磨停止层作为停止层,暴露出研磨停止层表面;进行第一平坦化步骤后,进行第二离子注入,在第一平坦化后的介质层中注入固化离子;进行第二平坦化步骤,采用化学机械研磨工艺平坦化第一平坦化后的介质层,以所述伪栅的顶部表面为停止层,暴露出伪栅的表面;去除所述伪栅,形成凹槽;在凹槽中形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造