[发明专利]一种高电源抑制比的高精度电流源电路

摘要

本发明涉及模拟集成电路技术，具体的说是涉及一种高电源抑制比的高精度电流镜电流源电路。本发明的一种高电源抑制比的高精度电流源电路，其特征在于，包括依次连接的启动电路、温度正比例电流产生电路、电源抑制比增强反馈电路和镜像输出电路。本发明的有益效果为，利用嵌位原理和反馈原理，极大地降低了沟道调制效应对于电流源的影响，提高了镜像电流源模块对于电源电压变化的抑制比，并且提高了输出镜像电流的精度，使得输出电流为稳定的不随其他因素变化的PTAT电流。本发明尤其适用于电流镜电流源电路。

主权项

一种高电源抑制比的高精度电流源电路，其特征在于，包括依次连接的启动电路、温度正比例电流产生电路、电源抑制比增强反馈电路和镜像输出电路；其中，启动电路由MOS管MP1和电阻R1构成；其中MP1的源极接电源VIN，其漏极通过R1后接地VSS，其栅极和漏极互连；温度正比例电流产生电路由PMOS管MP2、MP3、三极管QN1、QN2、电阻R2、R3、R4构成；其中MP2的源极接电源VIN，其栅极和漏极互连，其栅极接MP1的栅极，其漏极接QN1的集电极；QN1的发射极通过R2后接地VSS，其基极接MP3的漏极；MP3的源极接电源VIN，其栅极接MP2的栅极，其漏极接QN2的集电极；QN2的基极通过R3接QN1的基极，其发射极通过R4后接地VSS；电源抑制比增强反馈电路由PMOS管MP4、MP5、NMOS管MN1构成；其中MP4的源极接电源VIN，其栅极和漏极互连，其栅极接MP5的栅极，其漏极接MN1的漏极；MP5的源极接电源VIN，其漏极通过R4接地VSS；MN1的栅极接MP2的漏极，其源极通过R4后接地VSS；镜像输出电路由PMOS管MP6构成；MP6的源极接电源VIN，其栅极接MP4的漏极，其漏极为镜像电流输出端。