[发明专利]一种高电源抑制比的高精度电流源电路无效
| 申请号: | 201410232046.6 | 申请日: | 2014-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN103970169A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
| 发明(设计)人: | 周泽坤;董渊;程洁;张瑜;石跃;明鑫;王卓;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46 |
| 代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电源 抑制 高精度 电流 电路 | ||
1.一种高电源抑制比的高精度电流源电路,其特征在于,包括依次连接的启动电路、温度正比例电流产生电路、电源抑制比增强反馈电路和镜像输出电路;其中,
启动电路由MOS管MP1和电阻R1构成;其中MP1的源极接电源VIN,其漏极通过R1后接地VSS,其栅极和漏极互连;
温度正比例电流产生电路由PMOS管MP2、MP3、三极管QN1、QN2、电阻R2、R3、R4构成;其中MP2的源极接电源VIN,其栅极和漏极互连,其栅极接MP1的栅极,其漏极接QN1的集电极;QN1的发射极通过R2后接地VSS,其基极接MP3的漏极;MP3的源极接电源VIN,其栅极接MP2的栅极,其漏极接QN2的集电极;QN2的基极通过R3接QN1的基极,其发射极通过R4后接地VSS;
电源抑制比增强反馈电路由PMOS管MP4、MP5、NMOS管MN1构成;其中MP4的源极接电源VIN,其栅极和漏极互连,其栅极接MP5的栅极,其漏极接MN1的漏极;MP5的源极接电源VIN,其漏极通过R4接地VSS;MN1的栅极接MP2的漏极,其源极通过R4后接地VSS;
镜像输出电路由PMOS管MP6构成;MP6的源极接电源VIN,其栅极接MP4的漏极,其漏极为镜像电流输出端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410232046.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:夜光电线
- 下一篇:OTP寄存器读写装置





