[发明专利]锗的干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410231370.6 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304480B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 邱鹏;王宇翔;顾佳烨;段立帆 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗的干法刻蚀方法，包括如下步骤：提供一表面具有锗层的衬底；对所述锗层实施等离子体处理，以形成图形化的锗层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氯化硼。本发明的优点在于，采用氯基的氯气和三氯化硼对锗进行等离子体处理，由于氯基的氯气和三氯化硼对阻挡层的刻蚀速率小于对锗的刻蚀速率，从而提高了锗刻蚀时对阻挡层材料的刻蚀选择比，优化了锗的刻蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锗的干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一表面具有锗层的衬底；/n对所述锗层实施等离子体处理，以形成图形化的锗层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氯化硼，所述等离子体的源物质中还含有氩气及氮气，其中，所述氯气为主刻蚀气体；/n在等离子体处理步骤之后，还包括一后处理步骤：/n所述后处理步骤为：/n提高等离子体处理的偏置功率，并通入氧气，以去除等离子体处理步骤中产生的覆盖物；或者，所述后处理步骤为：增加等离子体处理步骤的时间，以去除等离子体处理步骤中产生的覆盖物；其中，/n所述等离子体处理步骤的偏置射频功率范围为20～50瓦；等离子体处理步骤的源射频功率的范围为200～1200瓦；等离子体处理步骤的压力范围为10～100毫乇，温度范围为30～45摄氏度，并且，所述等离子体的源物质的流量范围为50～100sccm。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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