[发明专利]锗的干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种锗的干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一表面具有锗层的衬底；

对所述锗层实施等离子体处理，以形成图形化的锗层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氯化硼，所述等离子体的源物质中还含有氩气及氮气，其中，所述氯气为主刻蚀气体；

在等离子体处理步骤之后，还包括一后处理步骤：

所述后处理步骤为：

提高等离子体处理的偏置功率，并通入氧气，以去除等离子体处理步骤中产生的覆盖物；或者，所述后处理步骤为：增加等离子体处理步骤的时间，以去除等离子体处理步骤中产生的覆盖物；其中，

所述等离子体处理步骤的偏置射频功率范围为20～50瓦；等离子体处理步骤的源射频功率的范围为200～1200瓦；等离子体处理步骤的压力范围为10～100毫乇，温度范围为30～45摄氏度，并且，所述等离子体的源物质的流量范围为50～100sccm。

2.根据权利要求1所述的锗的干法刻蚀方法，其特征在于，在所述锗层表面设置有图形化的掩膜层，以在后续等离子体处理步骤中形成图形化的锗层。