[发明专利]接触式电解加工阵列微小凹坑的方法有效
申请号: | 201410228273.1 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN104001997A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 曲宁松;张西方;陈晓磊;李寒松 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | B23H3/00 | 分类号: | B23H3/00;B23H9/00 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提出了一种接触式电解加工阵列微小凹坑的方法,属电解加工技术领域。该方法,首先通过照相掩膜的方式在工件阳极表面制得需要电解的光刻胶膜图案,工件阳极与工具阴极分别与电源的正负极连接,将工件阳极浸入到电解液中,工具阴极与工件阳极上的光刻胶膜接触,接通电源进行电解加工。利用本发明工具阴极与工件阳极上的光刻胶膜接触,可以改善加工区域的电场分布,使得加工区域周围和中心的电场强度趋于一致,显著提高电解加工阵列微小凹坑的加工精度和定域性。 | ||
搜索关键词: | 接触 电解 加工 阵列 微小 方法 | ||
【主权项】:
一种接触式电解加工阵列微小凹坑的方法,其特征在于包括下列步骤: (a)、 通过照相掩膜的方式在工件阳极(3)表面制得需要电解的光刻胶膜图案(2); (b)、工件阳极(3)与工具阴极(1)分别与电源(4)的正负极连接; (c)、将工件阳极(3)浸入到电解液(5)中;(d)、工具阴极(1)与工件阳极(3)上的光刻胶膜(2)接触;(e)、接通电源(4)进行电解加工。
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