[发明专利]晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明涉及一种晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备。该晶片边缘的保护机构包括环形基座、边缘保护环和升降驱动装置，环形基座环绕在下电极装置周围，并支撑下电极装置；边缘保护环位于下电极装置上方；升降驱动装置包括气源和至少三个气动升降机构，至少三个气动升降机构设置在环形基座的内部，且沿环形基座的周向间隔分布，用以驱动边缘保护环作升降运动，以使其与晶片边缘相接触或相分离；气源用于向位于环形基座外壁和内壁之间的气动升降机构提供气体。上述晶片边缘的保护机构与现有技术相比，可以使反应腔室内的气流场更均匀，从而有助于提高工艺的均匀性。

主权项

1.一种晶片边缘的保护机构，用于在进行工艺时保护置于下电极装置上的晶片的边缘，其特征在于，所述保护机构包括环形基座、边缘保护环和升降驱动装置，其中所述环形基座环绕在所述下电极装置周围，并支撑所述下电极装置；所述边缘保护环位于所述下电极装置上方；所述升降驱动装置包括气源和至少三个气动升降机构，其中，所述至少三个气动升降机构设置在所述环形基座的内部，且沿所述环形基座的周向间隔分布，用以驱动所述边缘保护环作升降运动，以使其与晶片边缘相接触或相分离；所述气源用于向位于所述环形基座外壁和内壁之间的所述气动升降机构提供气体；每个所述气动升降机构包括缸筒、缸杆和升降杆，其中所述缸筒为设置在所述环形基座的上表面上的安装孔；所述缸杆位于所述缸筒内，且所述缸杆的上端与所述升降杆的下端连接；所述缸杆的下端将所述缸筒分隔为彼此之间密封的上部空间和下部空间；并且，在所述环形基座的内周壁上分别设置有与所述上部空间连通的第一气孔，以及与下部空间连通的第二气孔；所述气源经由所述第一气孔和第二气孔分别向所述上部空间和下部空间输送气体；所述升降杆的上端沿竖直方向向上延伸，用以支撑所述边缘保护环。