[发明专利]晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种晶片边缘的保护机构，用于在进行工艺时保护置于下电极装置上的晶片的边缘，其特征在于，所述保护机构包括环形基座、边缘保护环和升降驱动装置，其中

所述环形基座环绕在所述下电极装置周围，并支撑所述下电极装置；

所述边缘保护环位于所述下电极装置上方；

所述升降驱动装置包括气源和至少三个气动升降机构，其中，所述至少三个气动升降机构设置在所述环形基座的内部，且沿所述环形基座的周向间隔分布，用以驱动所述边缘保护环作升降运动，以使其与晶片边缘相接触或相分离；

所述气源用于向位于所述环形基座外壁和内壁之间的所述气动升降机构提供气体；

每个所述气动升降机构包括缸筒、缸杆和升降杆，其中

所述缸筒为设置在所述环形基座的上表面上的安装孔；

所述缸杆位于所述缸筒内，且所述缸杆的上端与所述升降杆的下端连接；所述缸杆的下端将所述缸筒分隔为彼此之间密封的上部空间和下部空间；并且，在所述环形基座的内周壁上分别设置有与所述上部空间连通的第一气孔，以及与下部空间连通的第二气孔；所述气源经由所述第一气孔和第二气孔分别向所述上部空间和下部空间输送气体；

所述升降杆的上端沿竖直方向向上延伸，用以支撑所述边缘保护环。

2.根据权利要求1所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述气源与每个所述气动升降机构之间连接有控制装置，所述控制装置用于控制气源与多个气动升降机构的缸筒的所述上部空间或下部空间同步连通，且控制所述气源向多个所述气动升降机构中通入相同流量的气体。

3.根据权利要求2所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述控制装置为换向阀。

4.根据权利要求1所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述升降杆上端设有定位件，所述边缘保护环下表面设有与所述定位件相配合的凹孔，所述凹孔与所述定位件相配合，对所述边缘保护环进行定位，并将所述保护环固定。

5.根据权利要求1所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述缸筒上端设有支撑套筒，所述支撑套筒的外壁与所述缸筒的侧壁紧密贴合，所述支撑套筒上设有竖直的通孔，所述缸杆穿过所述通孔，且所述通孔的孔径与所述缸杆的外壁相对应，以将所述缸筒上端密封；

所述缸杆上设有环形凸缘，所述环形凸缘位于所述支撑套筒内；所述支撑套筒内设有波纹管，所述波纹管环绕所述缸杆的上部，且其上端与所述缸筒的顶壁连接，下端与所述环形凸缘连接。

6.根据权利要求5所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述缸筒下端设有密封件，所述密封件沿所述缸筒的侧壁环绕一周。

7.根据权利要求6所述的晶片边缘的保护机构，其特征在于，所述缸筒的下端设有弹性部件，所述弹性部件用于在缸杆的下端运动至缸筒的底部时，缓冲缸杆与缸筒的底部之间的冲击力。

8.一种反应腔室，其内部设有下电极装置和晶片边缘的保护机构，所述下电极装置上表面用于放置晶片，所述晶片边缘的保护机构用于保护所述晶片的边缘，其特征在于，所述晶片边缘的保护机构采用权利要求1-7任意一项所述的晶片边缘的保护机构。

9.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求8所述的反应腔室；所述反应腔室的正下方设置有抽真空装置，且所述反应腔室的底壁上设有多个与抽真空装置连通的排气口。