[发明专利]移位寄存器及其驱动方法、移位寄存器组及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201410226541.6 申请日: 2014-05-27
公开(公告)号: CN104008779B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 王志良;陈娴;罗丽媛 申请(专利权)人: 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/20
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种移位寄存器及其驱动方法、移位寄存器组及其驱动方法。移位寄存器包括第一至第六晶体管、第一时钟信号端、第二时钟信号端、第一电平信号端、第二电平信号端、第一输入端、第二输入端、输出端。移位寄存器组包括多个上述移位寄存器,并连接为多级,实现驱动多行的功能。采用本发明的移位寄存器或移位寄存器组,可以简化电路、减小电路所在区域的面积;采用本发明的驱动方法可以有效抑制寄生电容的漏电流,达到稳定输出地效果。
搜索关键词: 移位寄存器 及其 驱动 方法
【主权项】:
一种移位寄存器,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管,其中,所述第一晶体管的栅极与第一时钟信号端连接,所述第一晶体管的源极与第一输入端连接,所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极及所述第六晶体管的栅极连接;所述第二晶体管的栅极与第一电平信号端连接,所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极及所述第六晶体管的栅极连接,所述第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接;所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接,所述第三晶体管的源极与第二时钟信号端连接,所述第三晶体管的漏极与输出端及所述第五晶体管的漏极连接;所述第四晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极连接,且所述第四晶体管的栅极和源极与第二输入信号端连接,所述第四晶体管的漏极与所述第五晶体管的栅极及所述第六晶体管的漏极连接;所述第五晶体管的栅极与第四晶体管的漏极及所述第六晶体管的漏极连接,所述第五晶体管的源极与第二电平信号端及所述第六晶体管的源极连接,所述第五晶体管的漏极与输出端及所述第三晶体管的漏极连接;所述第六晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极及所述第二晶体管的源极连接,所述第六晶体管的源极与第二电平信号端及所述第五晶体管的源极连接,漏极与所述第四晶体管的漏极及所述第五晶体管的栅极连接。
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