[发明专利]电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法在审

专利信息
申请号: 201410222472.1 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN105088141A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 贺小明;倪图强 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C16/513;C04B41/85
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法,其中,所述绝缘窗口上利用增强型物理或者化学气相沉积在其面对等离子体的一面涂覆抗腐蚀涂层,所述涂覆了抗腐蚀涂层的绝缘窗口进行了热处理步骤。其中,所述热处理步骤包括热退火步骤。本发明制造的抗腐蚀层厚度高,质地均匀,结构稳定,应力较低,不会破裂。
搜索关键词: 电感 耦合 等离子体 处理 及其 腐蚀 绝缘 窗口 制造 方法
【主权项】:
一种抗腐蚀的电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘窗口,其特征在于:所述绝缘窗口上利用等离子体增强型物理或化学气相沉积在其面对等离子体的一面涂覆抗腐蚀涂层,所述涂覆了抗腐蚀涂层的绝缘窗口进行了热处理步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410222472.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top