[发明专利]电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法

权利要求书

1.一种抗腐蚀的电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘窗口，其特征在于：所述绝缘窗口上利用等离子体增强型物理或化学气相沉积在其面对等离子体的一面涂覆抗腐蚀涂层，所述涂覆了抗腐蚀涂层的绝缘窗口进行了热处理步骤。

2.根据权利要求1所述的绝缘窗口，其特征在于：所述热处理步骤包括热退火处理。

3.根据权利要求2所述的绝缘窗口，其特征在于：所述抗腐蚀层涂层的材料包括以下任一种或任多种：Y₂O₃、YF₃、ErO₂、Al₂O₃、SiC、AlN、ZrO₂。

4.根据权利要求3所述的绝缘窗口，其特征在于：所述抗腐蚀涂层的厚度为大于40um。

5.根据权利要求3所述的绝缘窗口，其特征在于：所述抗腐蚀层涂层具有多层结构。

6.根据权利要求2所述的绝缘窗口，其特征在于：所述绝缘窗口的陶瓷基体为石英或者氧化铝。

7.一种抗腐蚀的电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘窗口的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

提供一绝缘窗口基体；

在所述绝缘窗口基体上利用增强型物理或者化学气相沉积在其面对等离子体的一面涂覆一层抗腐蚀涂层；

然后对涂覆了抗腐蚀涂层的绝缘窗口执行热处理步骤。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述热处理步骤包括热退火处理。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下步骤：对绝缘窗口曝露于等离子体的一面进行粗糙化处理步骤，然后在所述绝缘窗口基体上利用增强型物理或者化学气相沉积在其面对等离子体的一面涂覆一层抗腐蚀涂层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述粗糙化处理使得绝缘窗口的表面粗糙度小于0.5um。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述粗糙化处理使得绝缘窗口的表面粗糙度大于2um。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，当所述抗腐蚀涂层具有多层结构时，所述制造方法还包括如下步骤：在对涂覆了抗腐蚀涂层的绝缘窗口执行热退火处理步骤之后，对绝缘窗口之上的多层结构的抗腐蚀涂层进行表面抛光或者研磨处理。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：利用增强型物理或者化学气相沉积制造抗腐蚀涂层的温度取值范围为高于室温。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述抗腐蚀涂层的厚度为大于40um。

15.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：当所述抗腐蚀涂层具有多层结构时，其多层结构中的每一层单层结构的厚度取值范围为0.1um到30um，多层结构的数目能够达到1到100层。