[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成伪栅极和栅极侧壁之前控制浅沟槽隔离的厚度，可以保证伪栅极和栅极侧壁具有良好的形貌，通过在形成伪栅极和栅极侧壁之后、形成金属栅极之前，去除沟道区域的一定厚度的浅沟槽隔离，可以保证鳍型结构达到预定高度以及最终形成的金属栅极具有良好的形貌，因此，相对于现有技术，可以提高半导体器件的性能和良率。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，通过刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成鳍型结构；步骤S102：在所述鳍型结构的两侧形成浅沟槽隔离；其中，所述步骤S102包括：步骤S1021：在所述半导体衬底上沉积隔离材料；步骤S1022：通过CMP工艺去除所述隔离材料高于所述鳍型结构的部分；步骤S1023：通过回刻蚀去除一定厚度的所述隔离材料以形成浅沟槽隔离，所述鳍型结构与所述浅沟槽隔离之间的高度差小于预定的高度差；步骤S103：在所述鳍型结构之上形成伪栅极以及位于所述伪栅极两侧的栅极侧壁；步骤S104：通过刻蚀工艺将所述浅沟槽隔离位于栅极区域以外的部分去除一定的厚度，以使所述鳍型结构与所述浅沟槽隔离的高度差达到所述预定的高度差；步骤S105：在所述半导体衬底上形成层间介电层；步骤S106：去除所述伪栅极；步骤S107：通过刻蚀工艺将所述浅沟槽隔离位于所述栅极区域的部分中的至少一部分去除一定的厚度；步骤S108：在所述伪栅极原来的位置形成高k介电层和金属栅极。