[发明专利]背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法

摘要

本发明提供的本发明提供了一种背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，包括硅片去损伤并制绒、清洗；磷扩散；背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；背面氧化铝薄膜生长；正面氮化硅减反射薄膜生长；激光开膜；背面印刷电极及不腐蚀氧化铝的铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。

主权项

一种背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；（2）磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；（4）在硅片的背面氧化铝薄膜生长；（5）在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；（6）激光开膜：在硅片的背表面用激光刻蚀氧化铝薄膜；（7）背面印刷电极及不腐蚀氧化铝的铝层，正面印刷银栅线；（8）烧结，测试。