[发明专利]背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；

（2）磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；

（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；

（4）在硅片的背面氧化铝薄膜生长；

（5）在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；

（6）激光开膜：在硅片的背表面用激光刻蚀氧化铝薄膜；

（7）背面印刷电极及不腐蚀氧化铝的铝层，正面印刷银栅线；

（8）烧结，测试。

2.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤1中选择的p型硅片其电阻率为0.5-6 ohm·cm，对硅片的制绒、清洗具体为：用质量分数为0.5-2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75-85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。

3.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤2中磷扩散采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600-900℃的温度下，采用POCl₃对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为20-150ohm/sq。

4.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤3中的背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗的方法，是采用在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗。

5.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤4中的氧化铝薄膜的厚度为1-100nm。

6.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤5中采用PECVD、ALD或APCVD的方法生长氮化硅减反射薄膜，其中氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm。

7.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤4和步骤5的顺序可以颠倒。

8.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤6中的激光开膜是采用线阵的方式进行刻蚀氧化铝薄膜，线阵的线宽为5-150 um，间距为200 um-5mm。

9.根据权利要求1所述的背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤7中采用铝浆丝网印刷的方法或PVD蒸镀铝的方法来印刷电极及不腐蚀氧化铝的铝层。