[发明专利]采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括硅片单面制绒，清洗；正面沉积磷硅玻璃；背面沉积硼硅玻璃；高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；等离子刻边；清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；正面沉积氮化硅减反射膜；背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。

主权项

一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的一面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；（2）正面沉积磷硅玻璃：在硅片的正面沉积5‑500nm的磷硅玻璃层；（3）背面沉积硼硅玻璃：在硅片的背面沉积10‑400nm的硼硅玻璃层；（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在高温炉中对硅片进行退火共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；（5）等离子刻边；（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；（8）正面沉积氮化硅减反射膜；（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；（11）烧结，测试。