[发明专利]采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的一面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；

（2）正面沉积磷硅玻璃：在硅片的正面沉积5-500nm的磷硅玻璃层；

（3）背面沉积硼硅玻璃：在硅片的背面沉积10-400nm的硼硅玻璃层；

（4）高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层：在高温炉中对硅片进行退火共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；

（5）等离子刻边；

（6）清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；

（7）背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；

（8）正面沉积氮化硅减反射膜；

（9）背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；

（10）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；

（11）烧结，测试。

2.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤1中的制绒，清洗具体为：用质量分数为0.5-2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75-85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。

3.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤2中是采用常压化学气相沉积的方法沉积磷硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷磷浆，喷涂质量分数为0.5-50%的磷酸水溶液。

4.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3中是采用常压化学气相沉积的方法沉积硼硅玻璃，采用丝网印刷的方式印刷硼浆，喷涂质量分数为0.5-50%的硼酸水溶液。

5.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤4中的高温退火具体为在链式高温炉或管式炉管中，在600-1000℃对硅片进行高温退火共扩散，最终正面形成方阻为30-140 ohm/sq的n+掺杂层，背面形成

方阻为50-200 ohm/sq的p+掺杂层。

6.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤6中采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃。

7.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤7中沉积的氧化铝膜的厚度为1-50nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm，步骤8中沉积的氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm。

8.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：所述步骤7和步骤8的顺序可以颠倒。

9.根据权利要求1所述的采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤9中采用点阵或线阵进行局域硅铝接触，采用点阵时，点的直径为30um-1mm，间距为50 um-2mm；采用线阵时，线宽为5-150 um，间距为200 um-5mm。