[发明专利]FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成有效
| 申请号： | 201410219414.3 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104241366B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;吕伟元;詹前泰;李威养;林大文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了在finFET器件的源极区和漏极区内形成位错的机制的实施例。该机制包括使鳍凹进以及去除隔离结构中的邻近鳍的介电材料以增大用于形成位错的外延区域。该机制还包括在凹进的源极区和漏极区内进行外延生长之前或之后，执行预非晶化注入(PAI)工艺。PAI工艺之后的退火工艺能够在源极区和漏极区内生长一致的位错。可一致地形成源极区和漏极区(或应力源区域)内的位错以在源极区和漏极区内产生目标应变，从而提高NMOS器件的载流子迁移率和器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 源极区 漏极区 中的 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有鳍式场效应晶体管(finFET)区；两个邻近的栅极结构，形成在两个邻近的鳍结构上方，其中，所述两个邻近的鳍结构包含结晶的含硅材料，并且所述两个邻近的鳍结构的部分凸起到邻近的隔离结构之上；以及源极区和漏极区，用于所述两个邻近的栅极结构，在所述源极区和所述漏极区内存在位错以使所述源极区和所述漏极区发生应变，在所述源极区和所述漏极区内不存在隔离结构，使得所述位错的始点不会被限制在鳍结构中。
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